Power-Module, die durchgängig mit SiC-basierten SBDs und MOSFETs bestückt sind, ermöglichen eine Senkung der Schaltverluste um 64 % (bei einer Chiptemperatur von 150 °C) gegenüber IGBTs mit gleichem Nennstrom. Verlustsimulationen mit PWM-Wechselrichteransteuerung ergaben eine Reduzierung um 30 % bei Ansteuerung mit 5 kHz und eine noch deutlichere Senkung der Gesamtverluste um 55 % bei 20 kHz (gegenüber IGBT-Modulen mit vergleichbaren Kenndaten). Bei 20 kHz Schaltfrequenz kann der Kühlkörper um 88 % verkleinert werden. Darüber hinaus erlaubt die hohe Schaltfrequenz auch die Verwendung kleinerer passiver Peripherie-Bauelemente.
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