Die Bausteine kombinieren eine hohe Leistungseffizienz (PAE; Power-Added Efficiency) und eine hohe Linearität, um ein neues Leistungsniveau in Anwendungen wie 5G, Satellitenkommunikation, kommerzielle und militärische Radarsysteme und Testgeräte zu erzielen. Wie alle GaN-HF-Leistungselektronik-Bauelemente von Microchip werden die neuen Bausteine in GaN-auf-Siliziumkarbid-Technologie gefertigt, mit der sich die beste Kombination aus hoher Leistungsdichte und Ausbeute sowie High-Voltage-Betrieb und einer Lebensdauer von mehr als 1 Million Stunden bei einer Sperrschichttemperatur von 255 °C erzielen lässt.
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