in Leistungswandler- und IndustrieAnwendungen mit hohen Spannungen. Der STGAP2HD für IGBTs und der STGAP2SICD für SiC-MOSFETs kommen dank neuester galvanischer Isolationstechnik von ST in einem Wide-Body-Gehäuse der Bauform SO-36W auf eine Kurzzeit-Spannungsfestigkeit von 6 kV. Die Beständigkeit gegen Spannungsflanken von bis zu ±100 V/ns verhindert ein unbeabsichtigtes Einschalten in Einsatzumgebungen mit hohem Aufkommen an elektrischen Störungen. Die Bauelemente können ein starkes Gate-Ansteuersignal von bis zu 4 A erzeugen, wobei die zwei Ausgangs-Pins für zusätzliche Flexibilität bei der Gate-Ansteuerung sorgen.
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