Mitsubishi optimiert ihre Leistungsmodule: Durch die neue Gehäusetechnik werden die internen Induktivitäten auf ein Minimum reduziert (10 nH). Die IGBT-Module eignen sich für Bahnanwendungen mit Isolationsspannungen von 6kV und 10kV (VCES: 1700V, 3300V, 4500V, 6500V) und für industrielle Anwendungen mit Isolationsspannungen von 4kV (VCES: 1200V, 1700V). Sie sind auch als SiC-Module erhältlich. Dank der optimierten Anordnung der Anschlüsse ist es einfach, Parallelschaltung und flexiblere Wechselrichterkonfigurationen mit mehreren Modulen aufzubauen. Neben dem verbesserten thermischen Widerstand durch die MCBBaseplate (Metal Casting direct Bonding) zeichnen sich die Module zudem durch eine höhere Resistenz gegen feuchte Umgebungen aus.
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